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长电科技宣布XDFOIChiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段

2023-01-05 16:04:48来源:IT之家

1 月 5 日消息,长电科技宣布,公司 XDFOIChiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户 4nm 节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为 1500mm²的系统级封装。

长电科技于 2021 年 7 月推出了面向 Chiplet(小芯片)的高密度多维异构集成技术平台 XDFOI,利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化,涵盖 2D、2.5D、3D Chiplet 集成技术。

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长电科技 XDFOI 通过小芯片异构集成技术,在有机重布线堆叠中介层(RDL Stack Interposer,RSI)上,放置一颗或多颗逻辑芯片(CPU / GPU 等),以及 I / O Chiplet 和 / 或高带宽内存芯片(HBM)等,形成一颗高集成度的异构封装体。一方面可将高密度 fcBGA 基板进行“瘦身”,将部分布线层转移至有机重布线堆叠中介层基板上,利用有机重布线堆叠中介层最小线宽线距 2μm 及多层再布线的优势,缩小芯片互连间距,实现更加高效、更为灵活的系统集成;另一方面,也可将部分 SoC 上互连转移到有机重布线堆叠中介层,从而得以实现以 Chiplet 为基础的架构创新,而最终达到性能和成本的双重优势。

IT之家了解到,长电科技 XDFOI 技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在 50μm 以内,微凸点(µBump)中心距为 40μm,实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成,达到更高集成度、更强模块功能和更小封装尺寸。同时,还可以在封装体背面进行金属沉积,在有效提高散热效率的同时,根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。

长电科技 XDFOI Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用。

关键词: 长电科技 工艺

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